化學(xué)機(jī)械平面拋光 項(xiàng)目所在采購(gòu)意向： 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所年月政府采購(gòu)意向 采購(gòu)單位： 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所 采購(gòu)項(xiàng)目名稱： 化學(xué)機(jī)械平面拋光 預(yù)算金額： .萬(wàn)元(人民幣) 采購(gòu)品目： 工藝試驗(yàn)機(jī) 采購(gòu)需求概況 ： 半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)薄膜具有一定的不均勻性，特別是晶圓刻蝕后，光波導(dǎo)上包層生長(zhǎng)沉積工藝中，晶圓上存在高低起伏的形貌，無(wú)法對(duì)晶圓進(jìn)行多層薄膜的生長(zhǎng)加工。為實(shí)現(xiàn)大規(guī)模的三維光子芯片加工，或在晶圓上鍍金形成電極實(shí)現(xiàn)光芯片的電子調(diào)控，就必須對(duì)晶圓的表面進(jìn)行平坦化處理。實(shí)現(xiàn)該工藝的核心設(shè)備是化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備，因此，為完善平臺(tái)工藝，新增化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備是完全必要的。 預(yù)計(jì)采購(gòu)時(shí)間： - 備注： 本次公開的采購(gòu)意向是本單位政府采購(gòu)工作的初步安排，具體采購(gòu)項(xiàng)目情況以相關(guān)采購(gòu)公告和采購(gòu)文件為準(zhǔn)。