為便于供應(yīng)商及時了解政府采購信息，根據(jù)《財政部關(guān)于開展政府采購意向公開工作的通知》（財庫〔〕號）等有關(guān)規(guī)定，現(xiàn)將本單位年月至年月采購意向公開如下： 序號 采購項目名稱 采購需求概況 落實政府采購政策情況 預(yù)算金額(元) 預(yù)計采購時間 備注 采購鍍膜設(shè)備---低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備項目 標(biāo)的名稱：采購鍍膜設(shè)備---低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備項目 標(biāo)的數(shù)量： 主要功能或目標(biāo)：主要功能： 本設(shè)備主要用于半導(dǎo)體集成電路及分立器件的氧化等工藝。 通過臥式氧化爐與工藝的結(jié)合使用，可以形成一個完整的半導(dǎo)體制造工藝鏈。并進一步提升工藝的兼容性，使得整個制造過程更加高效和可靠。 目的： 該設(shè)備生成的氧化層可以作為這些材料的沉積基底，可以制造出具有優(yōu)異性能的半導(dǎo)體器件，滿足各種高科技產(chǎn)品的需求。 需滿足的要求：基本硬件配置： 主機柜（含基本工藝腔室),凈化工作臺,氣路氣源柜系統(tǒng),真空及壓力控制系統(tǒng)、計算機控制系統(tǒng)、自動化模塊、加熱爐體及其配套硬件。 適用晶圓要求：英寸 工藝性能基本要求： ①極限真空度≤×-；工作真空度應(yīng)在～且范圍內(nèi)可調(diào)；壓力測量范圍在～之間。 ②適配以下四類工藝條件：熱氧化、多晶硅、-、。 ③膜厚均勻性： 熱氧化 落實國家關(guān)項目于節(jié)能產(chǎn)品、環(huán)保標(biāo)志產(chǎn)品、促進中小企業(yè)發(fā)展、殘疾人福利性單位、貧困地區(qū)農(nóng)副產(chǎn)品等政策情況 ,,. 年月 本次公開的采購意向是本單位政府采購工作的初步安排，具體采購項目情況以相關(guān)采購公告和采購文件為準(zhǔn)。 廣東中科半導(dǎo)體微納制造技術(shù)研究院 年月日