八英寸晶圓級(jí)氮化硅低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 項(xiàng)目所在采購(gòu)意向： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所年至月政府采購(gòu)意向 采購(gòu)單位： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 采購(gòu)項(xiàng)目名稱： 八英寸晶圓級(jí)氮化硅低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備 預(yù)算金額： .萬(wàn)元(人民幣) 采購(gòu)品目： -電子工業(yè)生產(chǎn)設(shè)備 采購(gòu)需求概況 ： 擬購(gòu)置的“八英寸晶圓級(jí)氮化硅低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備”主要用于環(huán)柵納米等型結(jié)構(gòu)器件關(guān)鍵集成工藝的研發(fā)，在器件三維結(jié)構(gòu)上生長(zhǎng)不同化學(xué)計(jì)量比、不同折射率和不同厚度的高純度、高致密度和高保形性的氮化硅薄膜，且在納米線濕法工藝中對(duì)的濕法腐蝕具有非常高的選擇比。關(guān)鍵核心工藝包括替代柵（）兩側(cè)的氮化硅側(cè)墻，器件中的氮化硅內(nèi)側(cè)墻及層間介質(zhì)（）。氮化硅低壓化學(xué)氣相沉積設(shè)備可以沉積高純度、高致密度、高保形性的高質(zhì)量的氮化硅薄膜，滿足器件的先導(dǎo)工藝的研發(fā)需求，是解決新結(jié)構(gòu)器件關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)挑戰(zhàn)問(wèn)題的最佳選擇。 預(yù)計(jì)采購(gòu)時(shí)間： - 備注： 本次公開(kāi)的采購(gòu)意向是本單位政府采購(gòu)工作的初步安排，具體采購(gòu)項(xiàng)目情況以相關(guān)采購(gòu)公告和采購(gòu)文件為準(zhǔn)。